一、概述:
ASB-260是一款苹果Apple Lightning母座通讯协议解码芯片IC,采用SOT23-6封装,可完美支持Apple Lightning 母座接口的数据传输和充电输入。
二、特点:
1、集成度高,极少的外围元器件。
2、电路简单,价格优势明显。
3、稳定性高,兼容性强。
4、支持数据传输和充电。
三、应用范围:
1、苹果Apple音响母座充电输入
2、苹果Apple iWatch母座充电输入
3、苹果Apple iWatch磁吸充电座
4、Apple Lightning母座输入充电移动电源
5、Apple Lightning母座输入充电移动电源背夹
6、Apple Lightning母座输入无线充电背夹
7、Apple Lightning母座输入无线充电发射底座
8、Apple Lightning母座输入转接头
9、Apple Lightning母座输入电子烟
10、Apple Lightning母座输入充电其它电子产品
11、iPhone Lightning耳机母座充电输入接口
四、配件支持:
1、移动电话:
iPhone5、iPhone5S、iPhone5C、iPhone6、iPhone6 Plus、iPhone6S、iPhone6S Plus、iPhone7、iPhone7 Plus、iPhone8、iPhone8 Plus、iPhoneX…等通讯协议握手识别。
2、平板电脑:
iPad4、iPad5、iPad mini、iPad mini2、iPad mini3、iPad mini4、iPad Air、iPad Air2、iPad Air3、iPad Pro(12.9英寸)、iPad Pro(9.7英寸)、iPad Pro(10.5英寸)…等通讯协议握手识别。
3、播放器:
iPod touch 5、iPod touch 6、iPod nano7…等通讯协议握手识别。
4、苹果iWatch智能手表:
iWatch母座
五、iOS支持:
iOS6、iOS7、iOS8、iOS9、iOS10、iOS11,以及iOS11后续版本。
六、封装及引脚定义描述:
6-1、封装及引脚定义
ASB-260 SOT23-6
6-2、引脚定义描述
ASB-260 SOT23-6 | 引脚定义 | 功能描述 |
1 | GATE | N-MOSFET控制输出端。 |
2 | GND | 芯片地。 |
3 | NC | 空脚,IC外围电路请悬空 |
4 | NC | 空脚,IC外围电路请悬空 |
5 | VDD | 芯片供电正电源 |
6 | DATA | Lightning通讯协议握手信号端 |
七、芯片参数:
PARAMETER | SYM. | MIN. | TYP. | MAX. | UNIT |
Operating Voltage | Vdd | 1.80 | 5.00 | 5.50 | V |
ESD (HBM) | TA = 25°C, ≥±∣ 4KV∣ | KV | |||
ESD (MM) | TA = 25°C, ≥ ±∣ 400V∣ | KV |
八、Lightning母座芯片应用电路图:
注意:
1、我司可提供ASB-260 DEMO板,请联系我司业务窗口领取。
2、以下参考电路,实际应用根据负载的上电曲线,决定是否加N-Channel MOSFET。
3、不加N-Channel MOSFET,参考8-1、8-3电路原理图,ASB-260 DEMO板J1位置连接是不加MOS电路。
(1)、如果负载电路上电有一定斜率,采用我司ASB-260 DEMO板实测验证后不加N-MOS能工作,可以不加N-MOS。
(2)、比如TP4054、TP4055、TP4056等线性充电管理IC一般情况下可以不加N-MOS。
(3)、Lightning母座 转Micro USB公头,给安卓Micro USB手机充电,可以不加N-MOS。
4、加N-Channel MOSFET,参考8-2电路原理图,ASB-260 DEMO板J1位置断开是加MOS电路。
(1)、如果负载电路上电曲线上升沿陡峭,需要加MOS。否则后面的负载电路会把Lightnin母座5V电压拉低(认证信号未握手成功前,Lightnin母座5V电压的电流很小),拉低后导致ASB-260不能通信。加了MOS,ASB-260 Gate脚延时1秒后打开N-MOS,避免后面的负载电路把Lightnin母座5V电压拉低。
(2)、经过我司长期的经验积累,如果使用英集芯的移动电源主控芯片,绝大部分型号需要加N-MOS,N-MOS的Gate脚还需要加103~105的电容(电路图C2位置,DEMO板C2位置)。
8-1、不加N-Channel MOSFET应用电路图
注意:
(1)、如果5V网络后级有滤波电容,C3位置可以不加电容。
(2)、如果5V网络后级无滤波电容,C3位置需要加104~105电容,否者iPhone8、iPhone8 Plus、iPhoneX的数据线无电压输出到Lightning母座。
8-2、加N-Channel MOSFET应用电路图
注意:
(1)、加MOS的应用,C3位置必须加容量104~105或者以上电容,否者iPhone8、iPhone8 Plus、iPhoneX原装数据线无电压输出到Lightning母座。
8-3、转接头(Lightning母座 转Micro USB公头)应用电路图
苹果Lightning数据线给安卓Micro USB手机充电。
注意:
(1)、C3位置必须加容量104~105或者以上电容,否者iPhone8、iPhone8 Plus、iPhoneX原装数据线无电压输出到Lightning母座。
九、封装信息(Packaging):SOT23-6
Symbols | Dimension In MM | Symbols | Dimension In MM | |||||
Min | Nom | Max | Min | Nom | Max | |||
A | ─ | ─ | 1.45 | e1 | 1.90 BSC | |||
A1 | 0.00 | ─ | 0.15 | L | 0.30 | 0.45 | 0.60 | |
A2 | 0.90 | 1.15 | 1.30 | L1 | 0.60 REF | |||
b | 0.22 | ─ | 0.38 | L2 | 0.25 BSC | |||
c | 0.08 | ─ | 0.22 | R | 0.10 | ─ | ─ | |
D | 2.90 BSC | R1 | 0.10 | ─ | 0.25 | |||
E | 2.80 BSC | θ | 0° | 4° | 8° | |||
E1 | 1.60 BSC | θ1 | 5° | 10° | 15° | |||
e | 0.95 BSC |